BAT32G1x9 user manual | Chapter 35 FLASH control
1140 / 1149
Rev.1.02
35.2 FLASH memory structure
Memory structure of BAT32G139 The memory structure of BAT32G179
FFFF_FFFFH
E00F_FFFFH
Cortex-M0+ 专用外设资源区
E000_0000H
4005_FFFFH
4000_0000H
2000_2FFFH
2000_0000H
0050_05FFH
0050_0000H
0001_FFFFH
0000_0000H
保留
外设资源区
SRAM (最大12KB)
保留
保留
保留
数据闪存 1.5KB
保留
主闪存区 (最大128KB)
Cortex-M0+ specific resource region
for peripherals
resource region for peripherals
SRAM(max 32KB)
data flash 2.5KB
main flash region
(max 256KB)
reserved
reserved
reserved
reserved
reserved
200 0_3FFFH
005 0_0BFFH
005 0_020 0H
000 3_FFFFH
FFFF_FFFFH
E00F_FFFFH
Cortex-M0+ 专用外设资源区
E000_0000H
4005_FFFFH
4000_0000H
2000_2FFFH
2000_0000H
0050_05FFH
0050_0000H
0001_FFFFH
0000_0000H
保留
外设资源区
SRAM (最大12KB)
保留
保留
保留
数据闪存 1.5KB
保留
主闪存区 (最大128KB)
Cortex-M0+ specific resource region
for peripherals
resource region for peripherals
SRAM(max 64KB)
data flash 20KB
main flash region
(max 512KB)
reserved
reserved
reserved
reserved
reserved
200 0_7FFFH
005 0_5FFFH
005 0_100 0H
000 7_FFFFH