Yaesu VX-3E, Французский

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VX-3E N
OTICE D
’
EMPLOI
127
Emetteur
Puissance HF : 1.5 W (@ 4.5 V AA x 3 ou 3.7 V FNB-82LI 144 MHz)
3 W (@ 6 V ou EXT DC 144 MHz)
1 W (@4.5 V AA x 3 ou 3.7 V FNB-82LI 430 MHz)
2 W (@ 6 V ou EXT DC 430 MHz)
Low 0.1 W (@ 4.5 V AA x 3 ou 3.7 V FNB-82LI)
Low 0.3 W (@ 6 V ou EXT DC)
Type de modulation : réactance variable F2D, F3E, F2A
Déviation maximum : ±5 kHz (F2D, F3E)
Produits indésirables : Au moins 60 dB en dessous (HIGH)
Au moins 50 dB en dessous (LOW ou moins que 1 W)
Impédance microphone : 2 k
Ω
Récepteur
Circuit Type : AM, NFM: Double conversion superhétérodyne
WFM: Triple conversion super heterodyne
AM Radio/FM Radio: Simple conversion super heterodyne
FI : 1ere: 47.25 MHz (AM, NFM)
1ere: 45
Sensibilité : 4 µV pour 10 dB SN (0.5-1.8 MHz, radio dif. AM)
3 µV pour 10 dB SN (1.8-30 MHz, AM)
0.35 µV TYP pour 12 dB SINAD (30-54 MHz, NFM)
1 µV TYP pour 12 dB SINAD (54-76 MHz, NFM)
1.5 µV TYP pour 12 dB SINAD (76-108 MHz, radio dif FM)
1.5 µV TYP pour 10 dB SN (108-137 MHz, AM)
0.2 µV pour 12 dB SINAD (137-140 MHz, NFM)
0.16 µV pour 12 dB SINAD (140-150 MHz, NFM)
0.2 µV pour 12 dB SINAD (150-174 MHz, NFM)
1 µV TYP pour 12 dB SINAD (174-225 MHz, NFM)
0.5 µV pour 12 dB SINAD (300-350 MHz, NFM)
0.2 µV pour 12 dB SINAD (350-400 MHz, NFM)
0.18 µV pour 12 dB SINAD (400-470 MHz, NFM)
1.5 µV pour 12 dB SINAD (470-540 MHz, WFM)
3 µV TYP pour 12 dB SINAD (540-800 MHz, WFM)
1.5 µV TYP pour 12 dB SINAD (800-999.99 MHz, NFM)
Version USA plage téléphone cellulaire bloquée
Sélectivité : NFM, AM: 12 kHz/35 kHz (–6 dB /–60 dB)
WFM : 200 kHz / 300 kHz (–6 dB/–20 dB)
Sortie BF : 50 mW @ 8
Ω
for 10 % THD (@ 3.7 V)
100 mW @8
Ω
for 10 % THD (@ 6 V)
S
P
ÉCIFICATIONS