Resistenza
Campi di misura: . . . . . . 200
Ω
,
2 k
Ω
, 20 k
Ω
,
200 k
Ω
, 2 M
Ω
Precisione*
200
Ω
– 200 k
Ω
: . . . . . . ±(0,8 % + 2 digit)
2 M
Ω
: . . . . . . . . . . . . . ±(1,0 % + 2 digit)
Prova transistor
Visualizzazione: . . . . . . . guadagno in
corrente (hFE)
0 –1000 con U
CE
2,8 V, I
B
10 µA
Prova diodi
Visualizzazione: . . . . . . . tensione di conti-
nuità con corrente
di test 1,5 mA
* con 23 °C, ±5 °C
Dati forniti dal costruttore.
Con riserva di modifiche tecniche.
I
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