Denon DRA-100, Руководство по обслуживанию

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NC7NZ17K8X (IC1802, IC1803, IC1852, IC1853)
Pin Discription
Pin Names Description
A1, A2, A3 Data Inputs
Y1, Y2, Y3 Output
ADUM1100_JP (IC7801, IC1851)
Block Diagram
ZXMC3AMC (Q1801, Q1804, Q1851, Q1854)
www.fairchildsemi.com 2
N
C
7NZ17
Logic Symbol
IEEE/IEC
Pin Descriptions
Function Table
Y
=
A
H = HIGH Logic Level L = LOW Logic Level
Connection Diagrams
(Top View)
Pin One Orientation Diagram
AAA represents Product Code Top Mark - see ordering code
Note: Orientation of Top Mark determines Pin One location. Read the Top
Product Code Mark left to right, Pin One is the lower left pin (see diagram).
Pad Assignments for MicroPak
(Top Thru View)
Pin Names Description
A
1
, A
2
, A
3
Data Inputs
Y
1
, Y
2
, Y
3
Output
Input Output
A Y
L L
H H
ADuM1100
8 REV.C
V
I
入力 V
DD1
の状態 V
DD2
の状態 V
O
出力
H 電源オン 電源オン H
L 電源オン 電源オン L
X 電源オフ 電源オン H*
X 電源オン 電源オフ X*
注意
ESD（静電放電）の影響を受けやすいデバイスです。4000Vもの高圧の静電気が人体やテスト装置に容易に帯電し、
検知されることなく放電されることがあります。本製品には当社独自のESD保護回路を備えていますが、高エネル
ギーの静電放電を受けたデバイスには回復不可能な損傷が発生することがあります。このため、性能低下や機能喪
失を回避するために、適切なESD予防措置をとるようお奨めします。
WARNING!
ESD SENSITIVE DEVICE
*電源回復から1μs以内にV
O
はV
I
状態に戻ります。
モデル 温度レンジ 最大データ・ 最小パルス パッケージ パッケージ・
レート(Mbps) 幅(ns) オプション
ADuM1100AR -40℃～＋100℃ 25 40 8ピンSOIC R-8
ADuM1100BR -40℃～＋100℃ 100 10 8ピンSOIC R-8
ADuM1100UR -40℃～＋125℃ 100 10 8ピンSOIC R-8
ADuM1100AR-RL7 -40℃～＋100℃ 25 40 8ピンSOIC、1000個リール R-8
ADuM1100BR-RL7 -40℃～＋100℃ 100 10 8ピンSOIC、1000個リール R-8
ADuM1100UR-RL7 -40℃～＋125℃ 100 10 8ピンSOIC、1000個リール R-8
オーダーガイド
表I 真理値表(正論理)
注：以下は、パッケージのグレード表示です。
8
1
AD1100U
R YYWW*
XXXXXX
ADuM1100UR,
ADuM1100UR-RL7
8
1
AD1100B
R YYWW*
XXXXXX
ADuM1100BR,
ADuM1100BR-RL7
8
1
AD1100A
R YYWW*
XXXXXX
ADuM1100AR,
ADuM1100AR-RL7
ここで、
* = DIN EN 60747-5-2マーク
R = パッケージ識別子(RはSOICを意味します)
YYWW = 日付コード
XXXXXX = ロット・コード
ピン配置
ADuM1100
上面図
(実寸ではありません)
8
7
6
5
1
2
3
4
V
DD1
1
V
I
V
DD1
1
GND
1
V
DD2
GND
2
2
V
O
GND
2
2
注
1 ピン1とピン3は内部で接続されています。
片方または両方をV
DD1
として使うことができます。
2 ピン5とピン7は内部で接続されています。
片方または両方をGND
2
として使うことができます。
ウォッチドッグ
エ
ン
コ
ー
ド
デ
コ
ー
ド
更新
V
DD1
V
I
(DATA IN)
V
DD1
GND
1
V
DD2
GND
2
V
O
(DATA OUT)
GND
2
ADuM1100
動作原理については、「動作方法、DC精度、磁界耐性」を参照してください。
i
Coupler
®
デジタル・アイソレータ
REV.C
ADuM1100*
特長
高速なデータ・レート：DC～100Mbps (NRZ)
3.3Vおよび5.0V動作／レベル変換に対応
最高動作温度：125℃
低消費電力動作
・5V動作：
1Mbpsで最大1.0mA
25Mbpsで最大4.5mA
100Mbpsで最大16.8mA
・3.3V動作：
1Mbpsで最大0.4mA
25Mbpsで最大3.5mA
50Mbpsで最大7.1mA
小型：標準の8ピンSOICパッケージ
高いコモン・モード過渡電圧耐性：25kV/μs以上
安全性および適用規格：
・UL認定済み
2500V rms、1分間のUL 1577規格に準拠
・「CSA Component Acceptance Notice #5A」に準拠
・VDEの適合性認定済み
DIN EN 60747-5-2 (VDE 0884 Part 2)：2003-01
DIN EN 60950 (VDE 0805)：2001-12； EN 60950：2000
V
IORM
＝560V
PEAK
アプリケーション
デジタル・フィールドバスの絶縁
光アイソレータの置き換え
コンピュータ-周辺機器間のインターフェース
マイクロプロセッサ・システムのインターフェース
一般的な計装およびデータ・アクイジション・アプリケーション
機能ブロック図
アナログ・デバイセズ株式会社
本 社／東京都港区海岸1-16-1 電話03（5402）8200 〒105-6891
ニューピア竹芝サウスタワービル
大阪営業所／大阪府大阪市淀川区宮原3-5-36 電話06（6350）6868（代）〒532-0003
新大阪MTビル2号
アナログ・デバイセズ社が提供する情報は正確で信頼できるものを期していますが、その情報の利用または利
用したことにより引き起こされる第3者の特許または権利の侵害に関して、当社はいっさいの責任を負いません。
さらに、アナログ・デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を許諾するものでもありません。
＊日本語データシートは、REVISIONが古い場合があります。最新の内容については英語版をご参照ください。
概要
ADuM1100は、アナログ・デバイセズのiCoupler技術に基づく
デジタル・アイソレータです。この絶縁デバイスは高速CMOS技
術とモノリシック中空コア・トランス技術の組合わせにより、光
カプラー・デバイスなどの置換品より、はるかに優れた性能特性
を提供します。
ADuM1100は既存の高速光カプラーに対するピン・コンパチブ
ルの置換品として構成されており、25Mbpsおよび100Mbpsの高
速データ・レートをサポートしています。
ADuM1100は3.0V～5.5Vのレンジの電源電圧で動作し、伝搬遅
延18ns未満およびエッジ非対称性2ns未満を誇り、最高温度125℃
まで動作します。静止電流0.9mA以下(一次側二次側の合計)、か
つMbpsのデータ・レートに対してダイナミック電流160μA以下
の非常に小さい消費電力で動作します。置換品の他の光カプラー
とは異なり、ADuM1100は出力信号を連続的に更新するリフレッ
シュ機能（特許取得済み）によりDCを正確に維持します。
ADuM1100には3種類のグレードがあります。ADuM1100ARと
ADuM1100BRは最高温度100℃までで動作でき、それぞれ最大
25Mbpsおよび100Mbpsのデータ・レートをサポートします。
ADuM1100URは最高温度125℃で動作でき、最大100Mbpsのデー
タ・レートをサポートします。
*米国特許5,952,849および6,525,566により保護されています。その他の特許は申請中です。
ZXMC3AMC
Document number: DS35088 Rev. 1 - 2
1 of 11
www.diodes.com
December 2010
© Diodes Incorporated
ZXMC3AMC
A Product Line of
Diodes Incorporated
30V COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET
Product Summary
Device V
(BR)DSS
R
DS(on)
max
I
D
max
T
A
= 25°C
(Notes 4 & 7)
Q1 30V
120m Ω @ V
GS
= 10V
3.7A
180m Ω @ V
GS
= 4.5V 3.0A
Q2 -30V
210m Ω @ V
GS
= -10V
-2.7A
330m Ω @ V
GS
= -4.5V -2.2A
Description and Applications
This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance
(R
DS(on)
) and yet maintain superior switching performance, making it
ideal for high efficiency power management applications.
• MOSFET gate drive
• LCD backlight inverters
• Motor control
• Portable applications
Features and Benefits
• Low profile package, for thin applications
• Low R
θ JA
, thermally efficient package
• 6mm
2
footprint, 50% smaller than TSOP6 and SOT23-6
• Low on-resistance
• Fast switching speed
• “Lead-Free”, RoHS Compliant (Note 1)
• Halogen and Antimony Free. "Green" Device (Note 2)
•
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
Mechanical Data
• Case: DFN3020B-8
• Terminals: Pre-Plated NiPdAu leadframe
• Nominal package height: 0.8mm
• UL Flammability Rating 94V-0
• Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020
• Solderable per MIL-STD-202, Method 208
• Weight: 0.013 grams (approximate)
Ordering Information
(Note 3)
Part Number Marking Reel size (inches) Tape width (mm) Quantity per reel
ZXMC3AMCTA C01 7 8 3000
Notes: 1. No purposefully added lead
2. Diodes Inc's "Green" policy can be found on our website at http://www.diodes.com.
3. For packaging details, go to our website at http://www.diodes.com.
Marking Information
Bottom View
Pin-Out
D2 D2 D1 D1
G2 S2 G1 S1
D2
D1
Pin 1
Equivalent Circuit
D2
S2
G2
D1
Q1 N-Channel Q2 P-Channel
S1
G1
Top View
Bottom View
DFN3020B-8
C01 = Product Type Marking Code
Top view, Dot Denotes Pin 1
C01
85