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Perfect
®
TCS II
组织外形修复系统
ZH
齿龈外形修复:制作齿龈槽
齿龈槽的创建是为大量的印模材料提供可以流动的空间。你会发现
PerFect TCS II
在这一过程中是非常有用的,可以作为排龈线替代
或者与之结合使用。例如,您可以在某个牵引线不提供大量印模材
料流动空间的区域创建部分龈槽。齿龈槽可在牙体准备之前或之后
制作。如果在牙体准备前制作,可见性和可进入性均增强,边缘部
分比较容易完成。当齿龈槽完成,牙齿准备好时,可以立即进行印
模。
齿龈槽不应在影响美观的关键部位(如牙龈边缘薄)制作,因
为愈合时可能引起牙龈高度损失。
1.
创建一个完整的齿龈槽时,使用长环形电极(对于带薄牙龈粘
膜的无肩化准备,可使用用直刃刀电极)。
2.
在这个过程中电极位置尤其重要:电极和牙齿之间的角度应尽
可能小。太大的角度会导致龈缘高度减少。
图
9
显示的是环形
电极与牙齿间的适当角度。如果由此产生的槽太窄,重新划槽
(等待
15
秒后),同时稍稍增加电极的角度。
3.
开始在舌面开槽,因此在脸表面操作前输出强度、切割速度
和深度可以有所调整。请勿试图以一次连续扫过牙齿周缘来制
作齿龈槽。相反,开槽应分成四个单独的、短暂的切割动作完
成(
图
10
)、每次扫过一个龈沟象限。推荐以下切割顺序:
(
1
)腭(舌)表面,(
2
)唇(颊)表面,(
3
)中间面部和
(
4
)的边缘面部。如
图
10
所示,最后两次(短)切除加入前
两次以制作一个连续、均匀的齿龈槽。
图
11
显示齿龈槽的术后
最新情况。
齿龈外形修复:去除多余的组织
在取印模或修复体黏结之前,
PerFect TCS II
可用于去除多余的、可
能影响手术的组织,并有助于控制出血。
1.
将长环形电极护套穿入到手持件电缆组的旋转接头上。
2.
将电极回路与待去除组织平行,(
图
12
),将组织以薄层切除
直至得到预期结果。
请记住,待组织冷却
10–15
秒后再在同一位置进行切割。
齿龈外形修复:美化外形修复
对于因美观需要而进行的组织外形修复,
PerFect TCS II
能带来很
多特别的好处。经常地,一个小小的手术过程可以大大改善患者的
形象。细心加上练习,就可以精确控制组织去除量以确保出众的结
果,既美观又达到治疗效果。此外,平滑而无压力的切割动作也减
少绝大多数的美化外形修复手术的时间。您可以使用直刃刀形或长
环形电极进行美化外形修复手术。连续削去或“刨平”组织薄层,
直至达到预期的外观。
请记住,待组织冷却
10–15
秒后再在同一位置进行切割。
在
图
13
和
14
中,操作者很容易纠正患者因切牙牙龈水平明显不对
称引起的扭曲的微笑。
4.
技术信息
PerFect TCS II
电外科手术设备
Coltène/Whaledent Inc.
产品目录
Nos. S8230CE, S8230UK, S8240
及
S8115
(使用附加后缀表示所含电极的不同类型和数量。)
一般信息
尺寸
: 108 x 159 x 222 mm (4 1/8 x 6 1/4 x 8 3/4
”
)
重量(单元和所带脚踏开关):
2.4 kg (5.29 lbs.)
S8115
扁平叶美式三脚交流插头
(NEMA 5-15P)
S8230CE
欧式带接地交流插头
(IEC 60884-1 CEE7 VII)
S8230UK
英式带熔断丝交流插头
(BS 1363)
S8240
澳式交流插头
(AS 3112, NZS 198)
分类
电气:
I
类,电源线内含接地保护
应用部分:
BF
型
设备不适合用于存在易燃麻醉剂与空气、氧气或一氧化氮混和气体
的情况下。
设备使用限制
<10s
>30s
间断性操作极值:充电输出
10s
,停用至少
30s
。换言之,连续重
复操作请勿超过
10
秒钟,紧接着休息
30
秒钟。
电气参数:
交流线电压
S8115: 115 VAC, 50/60 Hz, 1.6A
S8230CE, S8230UK: 230 VAC, 50/60 Hz, 0.8A
S8240: 240 VAC, 50/60 Hz, 0.8A
CUT
(电切)大功率输出
50
瓦
COAG
(电凝)最大功率输出
33
瓦
输出阻抗
600
欧姆
标称工作频率
3.68 MHz
电凝调制频率
120 Hz
电凝调制波形
方波
运输和存储条件
-40ºC
(-40ºF)
+70ºC
(+158ºF)
10%
100%
1060 hPa
(15.4 psi)
500 hPa
(7.25 psi
)
工作环境条件
-10ºC
(14ºF)
+35ºC
(95ºF)
30%
75%
1060 hPa
(15.4 psi)
700hPa
(10.2 psi)
电磁环境
-
参见第
6
节
Summary of Contents for PerFect TCS II
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