BBK PV420S, Руководство по обслуживанию

Страница: 265 / 299

BH3541F / BH3544F
光ディスク
IC
! ! ! !
応用例
応用例 応用例
応用例
Fig.2
5 6 7 8
3 4
V
CC
OUT2 BIAS IN2
47
µ
1
µ
V
IN
2
180k
(90k)
180k
(90k)
0dB
(6dB)
0dB
(6dB)
BIAS
MUTE
TSD
2 1
OUT1 MUTE IN1 GND
1
µ
V
IN
1
1
µ 100k
330
µ
VMUTE
H : Active
L : Mute
330
µ
V
CC
+
+
+
+
+
+
( ) は、 BH3544 の値
! ! ! !
外付け部品の説明 外付け部品の説明 外付け部品の説明 外付け部品の説明
(1)
入力カップリングコンデンサ（
C3
、
C5
）
低域のカットオフ周波数により決定されます。本
IC
の入力インピーダンスは
180k
Ω
のため、下記の式から求めら
れますが、バラツキ、温特等の考慮を必要とします。 （積層セラミックコンデンサを推奨します。 ）
C3 (C5) = 1 / ( 2
π ×
180k
Ω ×
f )
(2)
バイアスコンデンサ（
C6
）
V
CC
= 5V
の時は
47 µ F
、
V
CC
= 3V
の時は
33 µ F
を推奨します。容量値をあまり下げますと、電気的特性の悪化や
ボツ音の発生原因となりますので、変更の際は十分ご確認のうえ、決定してください。
(3)
ミュート端子ボツ音対策（
R2
、
C2
）
GND
に対してインピーダンス（
190k
Ω
）を持っているため、
R2
を大きくしすぎますと、ミュートが解除できない
ことがありますのでご注意願います。
(4)
出力カップリングコンデンサ（
C1
、
C7
）
低域のカットオフ周波数により決定されます。出力の負荷抵抗値を
R
L
として（出力に保護または、電流制限のた
めに抵抗
R
X
を入れると仮定する） 、下記の式から求められます。
C1 (C7) = 1 / ( 2 π × ( R
L
+ R
X
) × f )
(5)
入力ゲイン調整抵抗（
R3
、
R4
） （
BH3544F
のみ）
外付け抵抗（
R3
、
R4
）により、入力ゲインの調整ができます。下記の式から求められるゲインに設定できます。
G
VC
= 6 + 20log ( 90k Ω / ( 90k Ω + R3 ) ) [dB]
! ! ! !
使用上の注意 使用上の注意 使用上の注意 使用上の注意
応用例は推奨すべきものと確信しておりますが、ご使用にあたっては特性の確認を十分にお願いします。その他外付け
回路定数を変更してご使用になる時は静特性のみならず、過渡特性も含め外付け部品及
び当社
IC
のバラツキ等を考慮
して十分なマージンを 見 て決定してください。
262