●
die meisten MOS-Fet Endstufen verfügen über keine
zusätzlichen Schutzschaltungen (z.B. gegen Kurzschluß),
da durch seinen internen Aufbau der MOS-Fet sich selbst
schützt. Wenn jedoch eine MOS-Fet Endstufe öfters
überlastet oder kurzgeschlossen wird, ist es möglich, daß
der MOS-Fet durch diese ständige Überforderung ermüdet.
Dadurch steigt das Ausfallrisiko.
●
der Anschluß niedriger Boxenimpedanzen ist bei MOS-Fet
Endstufen nur sehr schwer realisierbar. Üblicherweise sind
MOS-Fet Endstufen für Impedanzen von 4 Ohm oder mehr
ausgelegt.
●
der deutlichste Nachteil des MOS-Fet ist: er behält immer
einen Rest-Innenwiderstand, der etwa um den Faktor 20
höher ist als bei bipolaren Typen. Dadurch ist der Dämp-
fungsfaktor schlechter und die Verlustleistung bei Vollaus-
steuerung höher. Für den Musiker bedeutet dies: die
Baßwiedergabe ist nicht so sauber und die MOS-Fet
Endstufe wird bei Vollast heißer als eine bipolar-Endstufe.
Neben diesen Nachteilen besitzt die herkömmliche MOS-Fet
Endstufe jedoch einen ganz wichtigen “kaufmännischen” Vor-
teil: sie ist durch wenige Bauteile sehr einfach und damit
kostengünstig herzustellen. Deshalb sind sogenannte “Billig-
Endstufen” durchweg in MOS-Fet-Technologie aufgebaut.
Bereits 1986 hat Zeck eine neue Schaltungsphilosophie ent-
wickelt, die die Vorteile beider Systeme vereint ohne die Nach-
teile zu übernehmen:
die Zeck bi-MOS-Technik.
bi steht für bipolar, MOS für MOS-Fet.
Bei der Zeck bi-MOS-Technik steuern MOS-Fet-Transistoren
die bipolaren Hochleistungs-Endtransistoren. Dadurch gewin-
nen diese Endstufen zusätzliche Vorteile:
●
durch eine mehr als doppelt so hohe Anstiegsgeschwindig-
keit (Slew-Rate) und eine deutlich kürzere Anstiegszeit wird
die Durchsichtigkeit des Klangbildes und die Qualität der
Höhenwiedergabe weiter verbessert
●
durch die zusätzlichen Sicherheitsschaltungen
(Temperaturschutz, Strombegrenzung, Gleichstromschutz)
wird die Zuverlässigkeit nochmals gesteigert
●
durch die Kombination mit bipolaren Hochleistungs-
Endtransistoren sind weiterhin Impedanzen bis 2 Ohm
anschließbar
●
der sehr hohe Dämpfungsfaktor wurde nicht verringert, das
heißt, die saubere Baßwiedergabe bleibt erhalten die
bi-MOS-Technik erlaubt eine noch höhere Leistungsausbeu-
te bei weniger meßbaren Verzerrungen (Gesamt-Klirrfaktor
unter 0,02 %)
●
normal, modern MOS-Fet power amps have no additional
safeguards (eg. against short circuiting) because MOS-
Fet protects itself through its internal type of construction.
However, if a MOS-Fet power amp is often subjected to
overloading or short circuiting it is possible that the MOS-Fet
will become weakened by such treatment. This raises the risk
of failure.
●
Connection of MOS-Fet power amps to low Ohm speaker
impedances (eg. 2 Ohms) is hardly possible since most of
them are usually designed for 4 Ohms or more.
●
The most distinct disadvantage in MOS-Fet is that it
maintains residue internal resistance which exeeds that of
bipolar types by a factor of around 20. As a result the
damping factor is worsened and performance loss is higher
at full load than it is in bipolar power amps.
Apart from these disadvantages the conventional MOS-Fet
power amp has an important economic advantage: its manufac-
ture involves less costs due to the fewer parts that it requires.
This is why “cheap power amps” are predominantly built using
MOS-Fet technology.
In 1986 Zeck developed a new circuit philosophy which combi-
nes the advantages of both systems without having to suffer
the disadvantages.
Zeck bi-MOS technology
bi
stands for
bipolar
and
MOS
for
MOS-Fet
.
In our power amps we combine MOS-Fet and bipolar technolo-
gy. In Zeck
bi-MOS
technology MOS-Fet transistors drive the
bipolar high performance terminal transistors. As a result, these
power amps have gained additional advantages:
●
the transparency of sound and the quality of trebles
reproduction is further improved by a slew rate which is more
than twice as high and a much shorter rise time.
●
Reliability has been further improved upon by additional
safeguards (against overheating, short circuiting and
direct current).
●
Impedances down to 2 Ohms can still be connected thanks to
the combination with bipolar high performance terminal
transistors.
●
The very high damping factor was not reduced which means
that clean bass reproduction is maintainted.
bi-MOS
technology affords a higher performance yield with even less
measurable distortion (complete distortion factor
under 0,02%).
owners manual C A - s e r i e s
7
owner`s manual ca-series © 1990 Zeck Music