ASROCK X299 Designer+, Manual

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X299 D
Primary Plane Current Limit
（第一平台电流限制）
配置
Turbo
模式下
CPU
的电流限制（安培） 较低限制可保护
CPU
和节能，较高限制可
提高性能。
Long Duration Power Limit
（长持续时间功率限制）
配置封装功率限制
1
（瓦）超过此限制时，一段时间后
CPU
倍频将降低。较低限制可保
护
CPU
和节能，较高限制可提高性能。
Long Duration Maintained
（维持的长持续时间）
当超过长持续时间功率限制、直到
CPU
倍频降低时配置一段时间。
Short Duration Power Limit
（短持续时间功率限制）
配置封装功率限制
2
（瓦） 超过此限制时，
CPU
倍频将立即降低。较低限制可保护
CPU
和节能，较高限制可提高性能。
DRAM Configuration
（
DRAM
配置）
DRAM Tweaker
通过勾选复选框微调
DRAM
设置。单击
OK
（确定）确认并应用新设置。
DRAM Timing Configuration
（
DRAM
时序配置）
Load XMP Setting
（加载
XMP
设置）
加载
XMP
设置以对
DDR
内存进行超频并执行超出标准的规格。
DRAM Reference Clock
（
DRAM
基准时钟）
选择
Auto
（自动）以优化设置。
DRAM Frequency
（
DRAM
频率）
如果选择
[Auto]
（自动），则主板将检测插入的内存模块并自动分配相应的频率。
Primary Timing
（主时序）
CAS# Latency (tCL)
（列地址选通脉冲时间延迟）
发送列地址到内存与回应数据开始之间的时间。
RAS# to CAS# Delay (tRCD)
（内存行地址传输到列地址的延迟时间）
RAS# to CAS# Delay
（内存行地址传输到列地址的延迟时间）： 开启内存行到访问内存
中列之间需要的时钟周期数。