ASROCK X299 Designer+, Manual

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Row Precharge (tRP)
（列预充电）
Row Precharge
（列预充电）
:
发出
precharge
（预充电）命令到打开下一行之间需要的时
钟周期数。
RAS# Active Time (tRAS)
（行地址动态时间）
bank active
命令与发出
precharge
（预充电）命令之间需要的时钟周期数。
Command Rate (CR)
（命令速率）
选择内存芯片和可以发出第一个
active
命令之间的延迟。
Secondary Timing
（次时序）
Write Recovery Time (tWR)
（写入恢复时间）
在完成有效写入操作之后，可以预充电
active bank
（有效存储单元）之前必须等待的延
迟时间。
Refresh Cycle Time (tRFC)
（刷新周期时间）
从
Refresh
（命令）命令直到第一个
Activate
（激活）命令至相同等级的时钟数。
RAS to RAS Delay (tRRD)
（内存行地址传输到行地址的延迟时间）
相同等级不同存储单元中激活的两行之间的时钟数。
RAS to RAS Delay (tRRD_L)
（内存行地址传输到行地址的延迟时间）
相同等级不同存储单元中激活的两行之间的时钟数。
Write to Read Delay (tWTR)
（写入到读取延迟）
最后一个有效写入操作到下一次读取命令至相同内部存储单元之间的时钟数。
Write to Read Delay (tWTR_L)
（写入到读取延迟）
最后一个有效写入操作到下一次读取命令至相同内部存储单元之间的时钟数。
Read to Precharge (tRTP)
（读取预充电）
读取命令至行预充电命令至相同等级之间插入的时钟数。
Four Activate Window (tFAW)
（四个存储单元激活窗口）
允许相同等级四个存储单元激活的时间窗口。
CAS Write Latency (tCWL)
（列地址写入延迟）
配置
CAS
写入延迟。