Technische Daten:
11 C-MOS-IC
2 C-MOS-RAM
2 PNP-Transistoren
3 NPN-Transistoren
1 Diode. 1 Leuchtdiode
2 Programme á 256 bit oder 1 Programm á
512 bit
CQ-Taster für mehrmalige Wiederholung eines
Textes;
automatischer Stopp des Lesevorganges mit
Rückkehr in die Anfangsstellung beim Betäti-
gen der Tasthebel;
Anzeige der Speicherfunktion durch Leuchtdio-
de;
konstantes Strich-Punkt-Pausenverhältnis
3:1:1;
eingebauter Mithörtongenerator;
Tastausgang:
Tastung gegen Masse, Gittersperrspannungs-
tastung 300 V max., 30 mA.,
Relaistastung 250 V max., 0,5 A max., 25 W
max.;
Tastgeschwindigkeit: 40 – 240 BpM;
eingebaute Batteriestromversorgung,
4 Mignonzellen 1,5 V;
Stromverbrauch:
ungetastet typisch 5 µA,
bei Relaistastung 20 mA,
bei Sperrspannungstastung 2,5 mA;
bei Speicherablauf erhöht sich der Stromver-
brauch in beiden Tastarten um ca. 5 mA.
Abmessungen:
Höhe 52 mm
Breite 100 mm
Tiefe
150 mm
Gewicht: ca. 1000 Gramm
Specifications:
semiconductors:
- 2 C-MOS-RAMs
- 11 C-MOS-ICs
- 2 PNP-transistors
- 3 NPN-transistors
- 1 diode, 1 LED
code store:
- storage capability: 2 × 256 bit or 1 × 512 bit
(selectable)
- LED-indication of memory operation
- CQ-key for continuous repetition of message
- automatic STOP and RESET of memory at
operation of paddle
keying:
- speed range: 8 – 50 wpm
- fixed 3:1:1 dash-dot-space ratio
- built in side-tone generator
selectable output (to chassis ground):
- relay keying up to 250 volts or 0.5 A (max. 25
W)
- negativ grid-block keying up to 300 volts 30
mA
power requirements and consumption:
- 4 size AA batteries 1.5 volts (built in battery
holder)
- idling current 5 µA (typ.)
- relay keying 20 mA
- neg. grid-block keying 2.5 mA
- additional 6 mA during memory operation
("READ" or "WRITE")
Dimensions (HWD) and weight:
- 2 × 4 × 6 inches
- 2 lb.
Содержание ETM-4C
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