A-3
ENGLISH
for DVD-ROM or DVD-RAM
LASER Specification
Type: Semiconductor laser InGaAlP / GaAs
Wave Length:
650 ± 15 nm
Divergence:
θ
= 20 ° ~ 35 ° (Typical 27 °)
Output Power:
0.33 mW
Laser-Daten:
(For German)
Typ: InGaAlP / GaAs-Halbleiter-Laser
Wellenlänge:
650 ± 15 nm
Divergenz:
θ
= 20 ° ~ 35 ° (Typisch 27 °)
Ausgangsleistung: 0,33 mW
LASER:
(For French)
Type:Laser semi-conducteur InGaAlP/ GaAs
Longueur d’ondes:
650 ± 15 nm
Divergence:
θ
= 20 ° ~ 35 ° (Environ 27 °)
Puissance de sortie:
0,33 mW
Laser- specifikationer: (For Swedish)
Typ: Laserhalvedare InGaAlP / GaAs
Våglängd:
650 ± 15 nm
Divergens:
θ
= 20 ° ~ 35 ° (Typiskt 27 °)
Uteffekt:
0,33 mW
LASER Spesifikasjon: (For Norwegian)
Type: Halvleder laser InGaAlP / GaAs
Bølgelengde:
650 ± 15 nm
Divergens:
θ
= 20 ° ~ 35 ° (Typisk 27 °)
Utgangseffekt:
0,33 mW
Laser Specifikationer: (For Danish)
Type: Semiconductor InGaAlP / GaAs
Bølge-længde:
650 ± 15 nm
Divergens:
θ
= 20 ° ~ 35 ° (Typisk 27 °)
Udgang-effekt:
0,33 mW
LASERin tekniset tiedot: (For Finnish)
Tyyppi: Laserpuolijohdin InGaAlP / GaAs
Aallon pituus:
650 ± 15 nm
Hajaantuminen:
θ
= 20 ° ~ 35 ° (Tyypillinen 27 °)
Teho:
0,33 mW
for CD-R/RW or CD-ROM
LASER Specification
Type:
Semiconductor laser GaAlAs
Wave Length:
785 ± 5 nm
Divergence:
θ
= 15 ° ~ 18 ° (Typical 16 °)
Output Power:
Read = 1.0 mW
Write = 64 mW
Laser-Daten:
(For German)
Typ:
GaAlAs-Halbleiter-Laser
Wellenlänge:
785 ± 5 nm
Divergenz:
θ
= 15 ° ~ 18 ° (Typisch 16 °)
Ausgangsleistung: Lesen = 1,0 mW
Schreiben = 64 mW
LASER:
(For French)
Type:
Laser semi-conducteur GaAlAs
Longueur d’ondes: 785 ± 5 nm
Divergence:
θ
= 15 ° ~ 18 ° (Environ 16 °)
Puissance de sortie:
Lecture = 1,0 mW
Ecriture = 64 mW
Laser- specifikationer:
(For Swedish)
Typ:
Laserhalvedare GaAlAs
Våglängd:
785 ± 5 nm
Divergens:
θ
= 15 ° ~ 18 ° (Typiskt 16 °)
Uteffekt:
Läsning = 1,0 mW
Skrivning = 64 mW
LASER Spesifikasjon:
(For Norwegian)
Type:
Halvleder laser GaAlAs
Bølgelengde:
785 ± 5 nm
Divergens:
θ
= 15 ° ~ 18 ° (Typisk 16 °)
Utgangseffekt:
Lese = 1,0 mW
Skrive = 64 mW
Laser Specifikationer:
(For Danish)
Type:
Semiconductor GaAlAs
Bølge-længde:
785 ± 5 nm
Divergens:
θ
= 15 ° ~ 18 ° (Typisk 16 °)
Udgang-effekt:
Læse = 1,0 mW
Skrive = 64 mW
LASERin tekniset tiedot: (For Finnish)
Tyyppi:
Laserpuolijohdin GaAlAs
Aallon pituus:
785 ± 5 nm
Hajaantuminen:
θ
= 15 ° ~ 18 ° (Tyypillinen 16 °)
Teho:
Lue = 1,0 mW
Kirjoita = 64 mW
