Siemens SITRANS DS III series, Краткое руководство по эксплуатации

Страница: 236 / 288

SITRANS P, seria DS III (7MF4.33.. 7MF4.34.. 7MF4.35..)
234
A5E03434631-02, 12/2012
Energia pomocnicza U
H
HART PROFIBUS PA lub Foundation Fieldbus
Napięcie zacisków przetwornika
pomiarowego
● DC 10,5 V … 45 V
● Przy trybie pracy samobezpiecznej
DC 10,5 V … 30 V
–
Falistość U
SS
≤ 0,2 V (47 … 125 Hz) –
Szumy U
eff
≤ 1,2 mV (0,5 … 10 kHz) –
Energia pomocnicza – Z zasilaniem magistrali
Osobne napięcie zasilające – Niewymagane
Napięcie magistrali
● Nie
– 9 … 32 V
● W trybie samobezpiecznym
– 9 … 24 V
Pobór prądu
● Maks. prąd bazowy
– 12,5 mA
● Prąd rozruchowy ≤ prąd bazowy
– Tak
● Maks. prąd w razie błędu
– 15,5 mA
Elektroniczny układ wyłączający w
razie błędu (FDE) dostępny
– Tak
7.5 Certyfikaty i dopuszczenia
Certyfikaty i dopuszczenia
HART PROFIBUS PA lub Foundation Fieldbus
Podział zgodnie z dyrektywą w
sprawie urządzeń ciśnieniowych
(PED 97/23/WE)
● dla gazów z grupy 1 i cieczy z grupy 1; spełnia wymagania art. 3, paragraf 3
(dobra praktyka techniczna)
● tylko dla przepływu:
dla gazów z grupy 1 i cieczy z grupy 1; spełnia podstawowe wymagania dot.
bezpieczeństwa art. 3, paragraf 1 (załącznik 1); podział na kategorię III, ocena
zgodności modułu H przez TÜV-Nord
Woda pitna w przygotowaniu
Ochrona przed wybuchem
● Samobezpieczeństwo „i”
PTB 11 ATEX 2011 X
Oznaczenie
II 1/2G Ex ia/ib IIC T4/T5/T6 Ga/Gb
Dopuszczalna temperatura
otoczenia
-40 … +85 °C (-40 … +185 °F) Klasa temperatur T4
-40 … +70 °C (-40 … +158 °F) klasa temperatur T5
-40 … +60 °C (-40 … +140 °F) klasa temperatur T6
Podłączenie Do certyfikowanego
samobezpiecznego obwodu
elektrycznego o wartościach
maksymalnych:
U
i
= 30 V, I
i
= 100 mA,
P
i
= 750 mW, R
i
= 300 Ω
Urządzenie zasilające FISCO
U
0
= 17,5 V, I
0
= 380 mA, P
0
= 5,32 W
Bariera liniowa
U
0
= 24 V, I
0
= 174 mA, P
0
= 1 W
Wewnętrzna pojemność
skuteczna
C
i
= 6 nF C
i
= 1,1 nF
Wewnętrzna indukcyjność
skuteczna
L
i
= 0,4 mH L
i
= 7 µH
● Obudowa przeciwwybuchowa „d”
PTB 99 ATEX 1160
Oznaczenie
II 1/2 Ex d IIC T4, T6 Ga/Gb
Dopuszczalna temperatura
otoczenia
-40 … +85 °C (-40 … +185 °F) Klasa temperatur T4
-40 … +60 °C (-40 … +140 °F) klasa temperatur T6