Sharp HT-CN410DVH, Руководство по обслуживанию

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HT-CN410DVH
40
IC208, High Data Rate Dynamic RAM (K4S641632H)
Functional Block Diagram:
Pin Configuration (Top view):
Bank Select
Data Input Register
Sense
AMP
Output
Buffer
I/O
Control
Column Decoder
Latency & Burst Length
Programming Register
Address
Register
Row
Buffer
Refresh
Counter
Row
Decoder
Col.
Buffer
LRAS LCBR
LCKE
LRAS LCBR LWE LDQM
CLK CKE CS RAS CAS WE L(U)DQM
LWE
LDQM
DQi
CLK
ADD
LCAS LWCBR
4M x 4 / 2M x 8 / 1M x 16
4M x 4 / 2M x 8 / 1M x 16
4M x 4 / 2M x 8 / 1M x 16
4M x 4 / 2M x 8 / 1M x 16
Timing Register
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
54Pin TSOP (II)
(400mil x 875mil)
(0.8 mm Pin pitch)
x16 x8 x4 x16 x8 x4
V
DD
DQ0
V
DDQ
DQ1
DQ2
V
SSQ
DQ3
DQ4
V
DDQ
DQ5
DQ6
V
SSQ
DQ7
V
DD
LDQM
WE
CAS
RAS
CS
BA0
BA1
A10/AP
A0
A1
A2
A3
V
DD
V
SS
DQ15
V
SSQ
DQ14
DQ13
V
DDQ
DQ12
DQ11
V
SSQ
DQ10
DQ9
V
DDQ
DQ8
V
SS
N.C/RFU
UDQM
CLK
CKE
N.C
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
V
DD
N.C
V
DDQ
N.C
DQ0
V
SSQ
N.C
N.C
V
DDQ
N.C
DQ1
V
SSQ
N.C
V
DD
N.C
WE
CAS
RAS
CS
BA0
BA1
A10/AP
A0
A1
A2
A3
V
DD
V
SS
N.C
V
SSQ
N.C
DQ3
V
DDQ
N.C
N.C
V
SSQ
N.C
DQ2
V
DDQ
N.C
V
SS
N.C/RFU
DQM
CLK
CKE
N.C
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
V
DD
DQ0
V
DDQ
N.C
DQ1
V
SSQ
N.C
DQ2
V
DDQ
N.C
DQ3
V
SSQ
N.C
V
DD
N.C
WE
CAS
RAS
CS
BA0
BA1
A10/AP
A0
A1
A2
A3
V
DD
V
SS
DQ7
V
SSQ
N.C
DQ6
V
DDQ
N.C
DQ5
V
SSQ
N.C
DQ4
V
DDQ
N.C
V
SS
N.C/RFU
DQM
CLK
CKE
N.C
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS