Panasonic Transistors 2SA2161J, Технические характеристики

Страница: 2 / 3

2SA2161J
2 SJC00312BED
V
CE(sat)

I
C
h
FE

I
C
C
ob

V
CB
P
C

T
a
I
C

V
CE
I
C

V
BE
0
20 40 60
80
100 120 140
0
20
40
60
80
100
120
140
Collector power dissipation P
C
(mW
)
Ambient temperature T
a
(
°
C)
0
−
10
−
20
−
30
−
40
−
50
−
60
−
70
0
−
0.5
−
1.0
−
1.5
−
2.0
−
2.5
−
3.0
Collector current I
C
(m
A
)
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
IB
= −
160
µ
A
−
140
µ
A
−
120
µ
A
−
100
µ
A
−
80
µ
A
−
60
µ
A
−
40
µ
A
−
20
µ
A
T
a
=
25
°
C
0
−
1.4
−
1.2
−
1.0
−
0.8
−
0.2
−
0.6
−
0.4
0
−
10
−
20
−
30
−
40
−
50
−
60
−
70
−
80
−
90
−
100
Base-emitter voltage V
BE
(V)
Collector current I
C
(m
A
)
V
CE
= −
2 V
T
a
=
85
°
C
−
25
°
C
25
°
C
−
1 000
−
100
−
10
−
1
−
0.1
−
0.1
−
0.01
−
1
Collector-emitter saturation voltage V
CE(sat)
(V
)
Collector current I
C
(mA)
T
a
=
85
°
C
25
°
C
−
25
°
C
I
C
/ I
B
=
20
−
1
−
10
−
100
−
1 000
0
600
500
400
300
200
100
Forward current transfer ratio h
FE
Collector current I
C
(mA)
T
a
=
85
°
C
25
°
C
−
25
°
C
V
CE
= −
2 V
5 10
0
100
10
1
Collector-base voltage V
CB
(V)
Collector output capacitance (Common base, input open circuited)
C
ob
(pF)
f
=
1 MHz
T
a
=
25
°
C
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).