NXP Semiconductors PBLS4004D, Лист данных продукта

Страница: 9 / 15

PBLS4004D_3 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 03 — 6 January 2009 9 of 15
NXP Semiconductors
PBLS4004D
40 V PNP BISS loadswitch
I
C
/I
B
= 20
(1) T
amb
= 100
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
=
−
55
°
C
T
amb
= 25
°
C
(1) I
C
/I
B
= 100
(2) I
C
/I
B
= 50
(3) I
C
/I
B
= 10
Fig 9. TR1 (PNP): Collector-emitter saturation
voltage as a function of collector current;
typical values Fig 10. TR1 (PNP): Collector-emitter saturation
voltage as a function of collector current;
typical values
I
C
/I
B
= 20
(1) T
amb
= 100
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
=
−
55
°
C
T
amb
= 25
°
C
(1) I
C
/I
B
= 100
(2) I
C
/I
B
= 50
(3) I
C
/I
B
= 10
Fig 11. TR1 (PNP): Collector-emitter saturation
resistance as a function of collector current;
typical values
Fig 12. TR1 (PNP): Collector-emitter saturation
resistance as a function of collector current;
typical values
006aaa466
I
C
(mA)
−
10
−
1
−
10
4
−
10
3
−
1
−
10
2
−
10
−
10
−
1
−
1
V
CEsat
(V)
−
10
−
2
(3)
(1)
(2)
006aaa471
I
C
(mA)
−
10
−
1
−
10
4
−
10
3
−
1
−
10
2
−
10
−
10
−
2
−
10
−
1
−
1
−
10
V
CEsat
(V)
−
10
−
3
(3)
(2)
(1)
006aaa470
I
C
(mA)
−
10
−
1
−
10
4
−
10
3
−
1
−
10
2
−
10
1
10
10
2
10
3
R
CEsat
(
Ω
)
10
−
1
(3)
(1)
(2)
006aaa472
I
C
(mA)
−
10
−
1
−
10
4
−
10
3
−
1
−
10
2
−
10
1
10
10
2
10
3
R
CEsat
(
Ω
)
10
−
1
(3)
(2)
(1)