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Read to Precharge(tRTP)
选择预充电时间。
Row Cycle(tRC)
TRC 表示“SDRAM 行周期时间”,它是包括行单元预充电到激活在内的整
个过程所需要的最小的时钟周期数。
其计算公式是:row cycle time (tRC) = minimum row active time(tRAS) + row
precharge time(tRP)。因此,设置该参数之前,你应该明白你的 tRAS 值和
tRP 值是多少。如果 tRC 的时间过长,会因在完成整个时钟周期后激活新
的地址而等待无谓的延时,而降低性能。然后一旦该值设置过小,在被激
活的行单元被充分充电之前,新的周期就可以被初始化。
Write Recover Time(TWR)
选择 DRAM 登录最后一笔写入数据后的写入回复时间,即最后一笔写
入数据之后的预充电时间。
RAS/RAS Delay(TRRD)
TRRD 表示"行单元到行单元的延时"。该值也表示向相同的 bank 中的同一
个行单元两次发送激活指令(即:REF 指令)之间的时间间隔。tRRD 值越
小越好。延迟越低,表示下一个 bank 能更快地被激活,进行读写操作。
然而,由于需要一定量的数据,太短的延迟会引起连续数据膨胀。于桌面
计算机来说,推荐 TRRD 值设定为 2 个时钟周期,这是最佳的设置,此时
的数据膨胀可以忽视。
Write to Read Delay(tWTR)
TWTR 表示“读到写延时”。它设定向 DDR 内存模块中的同一个单元中,
在最后一次有效的写操作和下一次读操作之间必须等待的时钟周期。
战斧 B450M-G DELUXE V14/ BATTLE-AX B450M-G DELUXE V14
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Содержание B450M-G DELUXE V14
Страница 1: ...B450M G DELUXE V14 BATTLE AX B450M G DELUXE V14...
Страница 3: ...SJ T11364 2006 Pb Hg Cd Cr VI PBB PBDE PCB SJ T11363 2006 SJ T11363 2006 ST T11363 2006 RoHS...
Страница 6: ...B450M G DELUXE V14 SATA IO CPU...
Страница 9: ...1 3 3...
Страница 10: ...CPU 2 1 Socket AM4 AMD AM4 1 90 2 3 4 5 CPU_FAN 4...
Страница 14: ...F_AUDIO I O F_PANEL PWR_ON PWR_SW ATX RST PWR_LED HD_LED B450M G DELUXE V14 BATTLE AX B450M G DELUXE V14 8...
Страница 15: ...USB2 0 FUSB20_1 FUSB20_2 2 USB2 0 4 USB2 0 480Mbps USB3 0 FUSB30_1 1 USB3 0 2 USB3 0 USB 2 0 PC 9...
Страница 17: ...COM_A 1 COM COM 2 4 PS2 USB2 0 VGA DVI HDMI USB3 0 USB3 0 Type C USB3 1 1 3 6 11...
Страница 18: ...CAUTION 12...
Страница 21: ...BIOS Esc BIOS F1 Esc BIOS BIOS 4 2 BIOS Main Advanced BIOS Chipset Security BIOS Boot OC Drive CPU 15 BIOS...
Страница 35: ...5 1 4 Motherboard Layout for reference only 29...