background image

SHD00639BEK

 

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Publication date: December 2008

1

Light Emitting Diodes

LNJ0F1C5FRA4

Hight Bright Surface Mounting Chip LED

Strobe Type

 

Absolute Maximum Ratings  

T

a

 = 25

°

C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Power dissipation

P

D

103

mW

Forward current

I

F

25

mA

Pulse forward current 

*

I

FP

50

mA

Reverse current

I

R

100

mA

Operating ambient temperature

T

opr

–30 to +85

°

C

Storage temperature

T

stg

–40 to +100

°

C

Note) *: The condition of I

FP

 is duty 10%, Pulse width 1 msec.

 

Electro-Optical Characteristics  

T

a

 = 25

°

C

±

3

°

C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Luminous intensity

I

O-20

I

F

 = 20 mA / chip

1 350

1 800

mcd

Forward voltage

V

F

I

F

 = 20 mA / chip

3.0

3.4

4.0

V

Chromaticity coordinates

x

I

F

 = 20 mA / chip

0.280

0.320

y

I

F

 = 20 mA / chip

0.260

0.383

0

0

10

20

30

40

50

60

20

40

60

80

100

0

1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

6.0

20

20

40

60

80

100

10

1

3

5

10

30

50

100

30

50

100

300

500

1 000

20

20

40

40

60

60

80

80

100

100

1

3

5

10

30 50

100

0

°

10

°

10

°

20

°

20

°

30

°

30

°

40

°

40

°

50

°

50

°

60

°

60

°

70

°

70

°

80

°

80

°

80

°

60

°

40

°

20

°

90

°

90

°

10

50
30

500
300

100

1 000

5 000
3 000

10 000

Y

X

Y

X

DC

IFP

Directive characteristics

Relative luminous intensity  (%)

Ambient temperature  T

a

  (

°

C)

Ambient temperature  T

a

  (

°

C)

Forward current  

I

F

  (mA)

Forward voltage  V

F

  (V)

Luminous intensity  

I

O

  (mcd)

Relative luminous intensity  (%)

Forward current  

I

F

  (mA)

Forward current  I

F

  (mA)

I

O

 

 I

F

I

F

 

 V

F

I

F

 

 T

a

Relative luminous intensity 

 T

a

 

Lighting Color

 

White

Reviews: