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2. Mesure de tension alternative
Gamme
Résolution
Précision
400,0 mV
0,1 mV
± (1,2 % + 3 chiffres)
4,000 V
1 mV
± (1,0 % + 3 chiffres)
40,00 V
10 mV
400,0 V
100 mV
600 V
1 V
± (1,2 % + 3 chiffres)
Remarque :
Gamme manuelle uniquement pour la gamme 400,0 mV.
Impédance d’entrée :
Environ 10 M
Ω
Réponse en fréquence :
45 Hz à 400 Hz
Protection contre les surcharges :
600 V eff.
3. Mesure de résistance
Gamme
Résolution
Précision
400,0
Ω
0,1
Ω
± (1,2 % + 2 chiffres)
4,000 k
Ω
1
Ω
± (1,0 % + 2 chiffres)
40,00 k
Ω
10
Ω
400,0 k
Ω
100
Ω
4,000 M
Ω
1 k
Ω
± (1,2 % + 2 chiffres)
40,00 M
Ω
10 k
Ω
± (1,5 % + 5 chiffres)
Gamme 400
Ω
:
Valeur mesurée = (valeur d’affichage mesurée – valeur de
court-circuit de la sonde)
Tension en circuit ouvert :
Environ 0,5 V
Protection contre les surcharges :
600 V eff.
4.
: Circuit actif/inactif
G
: Contrôle de diode
Gamme
Résolution
Précision
0,1
Ω
Tension en circuit ouvert : environ 0,5 V
À une résistance > 150
Ω
, l’avertisseur ne retentit pas.
À une résistance
≤
10
Ω
, l’avertisseur retentit.
G
1 mV
La gamme d’affichage est comprise entre 0 V et 2,0 V.
La tension normale est d’environ 0,5 V à 0,8 V pour la
jonction PN dans du silicium.
Protection contre les surcharges :
600 V
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