Panasonic Transistors 2SB1462J, Технические характеристики

Страница: 2 / 3

2SB1462J
2 SJC00087CED
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
I
C

V
BE
V
CE(sat)

I
C
h
FE

I
C
P
C

T
a
I
C

I
B
I
B

V
BE
C
ob

V
CB
0 160 40 120 80 140 20 100 60
0
150
125
100
75
50
25
Collector power dissipation P
C
(mW
)
Ambient temperature T
a
(
°
C)
0
−
360
−
300
−
240
−
60
−
180
−
120
0
−
120
−
100
−
80
−
60
−
40
−
20
V
CE
= −
10 V
T
a
=
25
°
C
Base current I
B
(
µ
A)
Collector current I
C
(mA
)
0
−
1.2
−
1.0
−
0.8
−
0.2
−
0.6
−
0.4
0
−
1 200
−
1 000
−
800
−
600
−
400
−
200
V
CE
= −
10 V
T
a
=
25
°
C
Base-emitter voltage V
BE
(V)
Base current I
B
(
µ
A
)
0
−
1.2
−
1.0
−
0.8
−
0.2
−
0.6
−
0.4
0
−
120
−
100
−
80
−
60
−
40
−
20
V
CE
= −
10 V
T
a
=
75
°
C
−
25
°
C
25
°
C
Base-emitter voltage V
BE
(V)
Collector current I
C
(mA
)
−
1
−
10
−
100
−
1 000
−
0.001
−
0.01
−
0.1
−
1
−
10
I
C
/ I
B
=
10
−
25
°
C
T
a
=
75
°
C
25
°
C
Collector-emitter saturation voltage V
CE(sat)
(V
)
Collector current I
C
(mA)
−
1
−
10
−
100
−
1 000
0
360
300
240
180
120
60
V
CE
= −
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
−
25
°
C
Forward current transfer ratio h
FE
Collector current I
C
(mA)
−
1
−
10
−
100
0
6
5
4
3
2
1
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
Collector-base voltage V
CB
(V)
Collector output capacitance (Common base, input open circuited)
C
ob
(pF)