A-3
ENGLISH
for DVD
LASER Specification
Type: Semiconductor laser InGaAlP or InGaAlP / GaAs
Wave Length:
650 ± 15 nm
Divergence:
θ
= 20 ° ~ 35 ° (Typical 27 °)
Output Power:
0.33 mW
Laser-Daten:
(For German)
Typ: InGaAlP oder
InGaAlP / GaAs-Halbleiter-Laser
Wellenlänge:
650 ± 15 nm
Divergenz:
θ
= 20 ° ~ 35 ° (Typical 27 °)
Ausgangsleistung: 0,33 mW
LASER:
(For French)
Type:Laser semi-conducteur InGaAlP ou
InGaAlP/ GaAs
Longueur d’ondes:
650 ± 15 nm
Divergence:
θ
= 20 ° ~ 35 ° (Typical 27 °)
Puissance de sortie:
0,33 mW
Laser- specifikationer: (For Swedish)
Typ: Laserhalvedare InGaAlP eller
InGaAlP / GaAs
Våglängd:
650 ± 15 nm
Divergens:
θ
= 20 ° ~ 35 ° (Typical 27 °)
Uteffekt:
0,33 mW
LASER Spesifikasjon: (For Norwegian)
Type: Halvleder laser InGaAlP eller InGaAlP / GaAs
Bølgelengde:
650 ± 15 nm
Divergens:
θ
= 20 ° ~ 35 ° (Typical 27 °)
Utgangseffekt:
0,33 mW
Laser Specifikationer: (For Danish)
Type: Semiconductor InGaAlP eller InGaAlP / GaAs
Bølge-længde:
650 ± 15 nm
Divergens:
θ
= 20 ° ~ 35 ° (Typical 27 °)
Udgang-effekt:
0,33 mW
LASERin tekniset tiedot: (For Finnish)
Tyyppi: Laserpuolijohdin InGaAlP eli
InGaAlP / GaAs
Aallon pituus:
650 ± 15 nm
Hajaantuminen:
θ
= 20 ° ~ 35 °
(Tyypillinen 27 °)
Teho:
0,33 mW
for CD
LASER Specification
Type:
Semiconductor laser GaAs
Wave Length: 790 ± 20 nm
Divergence:
θ
= 20 ° ~ 45 ° (Typical 39 °)
Output Power: 0.33 mW
Laser-Daten:
(For German)
Typ:
GaAs-Halbleiter-Laser
Wellenlänge:
790 ± 20 nm
Divergenz:
θ
= 20 ° ~ 45 ° (Typisch 39 °)
Ausgangsleistung: 0,33 mW
LASER:
(For French)
Type: Laser semi-conducteur GaAs
Longueur d’ondes: 790 ± 20 nm
Divergence:
θ
= 20 ° ~ 45 ° (Environ 39 °)
Puissance de sortie:
0,33 mW
Laser- specifikationer: (For Swedish)
Typ:
Laserhalvedare GaAs
Våglängd:
790 ± 20 nm
Divergens:
θ
= 20 ° ~ 45 ° (Typiskt 39 °)
Uteffekt:
0,33 mW
LASER Spesifikasjon: (For Norwegian)
Type:
Halvleder laser GaAs
Bølgelengde:
790 ± 20 nm
Divergens:
θ
= 20 ° ~ 45 ° (Typisk 39 °)
Utgangseffekt: 0,33 mW
Laser Specifikationer: (For Danish)
Type:
Semiconductor GaAs
Bølge-længde: 790 ± 20 nm
Divergens:
θ
= 20 ° ~ 45 ° (Typisk 39 °)
Udgang-effekt: 0,33 mW
LASERin tekniset tiedot: (For Finnish)
Tyyppi:
Laserpuolijohdin GaAs
Aallon pituus:
790 ± 20 nm
Hajaantuminen:
θ
= 20 ° ~ 45 °
(Tyypillinen 39 °)
Teho:
0,33 mW
