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3. Widerstandsmessung
Bereich
Auflösung
Genauigkeit
400,0
Ω
0,1
Ω
± (1,2 % + 2 Stellen)
4,000 k
Ω
1
Ω
± (1,0 % + 2 Stellen)
40,00 k
Ω
10
Ω
400,0 k
Ω
100
Ω
4,000 M
Ω
1 k
Ω
± (1,2 % + 2 Stellen)
40,00 M
Ω
10 k
Ω
± (1,5 % + 5 Stellen)
400-
Ω
-Bereich:
Gemessener Wert = (gemessener Anzeigewert) –
(kurzschließender Wert von Sonde)
Leerlaufspannung:
ca. 0,5 V
Überlastschutz:
600 V eff.
4.
: Kontinuität
G
: Diodenmessung
Bereich Auflösung
Genauigkeit
0,1
Ω
Die Leerlaufspannung beträgt ca. 0,5 V.
Widerstand >150
Ω
, Summer ertönt nicht.
Widerstand
≤
10
Ω
, Summer ertönt.
G
1 mV
Die Leerlaufspannung beträgt ca. 1,5 V. Die
Normalspannung beträgt ca. 0,5-0,8 V für Silizium-PN-
Übergang.
Überlastschutz:
600 V eff.
5. Kapazitätsmessung
Bereich
Auflösung
Genauigkeit
40,00 nF
10 pF
± (3 % + 10 Stellen), REL-Status
400,0 nF
100 pF
± (3 % + 5 Stellen), REL-Status
4,000 uF
1 nF
40,00 uF
10 nF
± (3 % + 5 Stellen)
100,0 uF
100 nF
± (4 % + 5 Stellen)
Überlastschutz:
600 V eff.
Содержание AM-510
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