A-2
VAROITUS! Laitteen käyttäminen muulla kuin tässä käyttöohjeessa mainitulla tavalla
saattaa altistaa käyttäjän turvallisuusluokan 1 ylittävälle näkymättömälle
lasersäteilylle.
VARNING! Om apparaten används på annat sätt än i denna bruksanvisning
specificerats, kan användaren utsättas för osynlig laserstrålning, som
överskrider gränsen för laserklass 1.
For Finnish
For Swedish
for DVD
LASER Specification
Type: Semiconductor laser InGaAlP / AlGaAs
Wave Length:
650 ± 10 nm
Divergence:
θ
= 24 ° ~ 32 ° (Typical 28 °)
Output Power:
0.30 mW
Laser-Daten:
(For German)
Typ:
InGaAlP / AlGaAs-Halbleiter-Laser
Wellenlänge:
650 ± 10 nm
Divergenz:
θ
= 24 ° ~ 32 ° (Typical 28 °)
Ausgangsleistung: 0,30 mW
LASER:
(For French)
Type:
Laser semi-conducteur InGaAlP / AlGaAs
Longueur d’ondes:
650 ± 10 nm
Divergence:
θ
= 24 ° ~ 32 ° (Typical 28 °)
Puissance de sortie:
0,30 mW
Laser- specifikationer: (For Swedish)
Typ:
Laserhalvedare InGaAlP / AlGaAs
Våglängd:
650 ± 10 nm
Divergens:
θ
= 24 ° ~ 32 ° (Typical 28 °)
Uteffekt:
0,30 mW
LASER Spesifikasjon: (For Norwegian)
Type:
Halvleder laser InGaAlP / AlGaAs
Bølgelengde:
650 ± 10 nm
Divergens:
θ
= 24 ° ~ 32 ° (Typical 28 °)
Utgangseffekt:
0,30 mW
Laser Specifikationer: (For Danish)
Type:
Semiconductor InGaAlP / AlGaAs
Bølge-længde:
650 ± 10 nm
Divergens:
θ
= 24 ° ~ 32 ° (Typical 28 °)
Udgang-effekt:
0,30 mW
LASERin tekniset tiedot: (For Finnish)
Tyyppi:
Laserpuolijohdin InGaAlP / AlGaAs
Aallon pituus:
650 ± 10 nm
Hajaantuminen:
θ
= 24 ° ~ 32 °
(Tyypillinen 28 °)
Teho:
0,30 mW
for CD
LASER Specification
Type:Semiconductor laser InGaAlP / AlGaAs
Wave Length:
790 ± 15 nm
Divergence:
θ
= 25 ° ~ 39 ° (Typical 32 °)
Output Power:
0.23 mW
Laser-Daten:
(For German)
Typ:InGaAlP / AlGaAs-Halbleiter-Laser
Wellenlänge:
790 ± 15 nm
Divergenz:
θ
= 25 ° ~ 39 ° (Typisch 32 °)
Ausgangsleistung: 0,23 mW
LASER:
(For French)
Type:Laser semi-conducteur InGaAlP / AlGaAs
Longueur d’ondes: 790 ± 15 nm
Divergence:
θ
= 25 ° ~ 39 ° (Environ 32 °)
Puissance de sortie:
0,23 mW
Laser- specifikationer: (For Swedish)
Typ:Laserhalvedare InGaAlP / AlGaAs
Våglängd:
790 ± 15 nm
Divergens:
θ
= 25 ° ~ 39 ° (Typiskt 32 °)
Uteffekt:
0,23 mW
LASER Spesifikasjon: (For Norwegian)
Type:Halvleder laser InGaAlP / AlGaAs
Bølgelengde:
790 ± 15 nm
Divergens:
θ
= 25 ° ~ 39 ° (Typisk 32 °)
Utgangseffekt:
0,23 mW
Laser Specifikationer: (For Danish)
Type:Semiconductor InGaAlP / AlGaAs
Bølge-længde:
790 ± 15 nm
Divergens:
θ
= 25 ° ~ 39 ° (Typisk 32 °)
Udgang-effekt:
0,23 mW
LASERin tekniset tiedot: (For Finnish)
Tyyppi:Laserpuolijohdin InGaAlP / AlGaAs
Aallon pituus:
790 ± 15 nm
Hajaantuminen:
θ
= 25 ° ~ 39 °
(Tyypillinen 32 °)
Teho:
0,23 mW
