A-3
ENGLISH
for DVD
LASER Specification
Type:
Semiconductor laser GaAs
Wave Length:
658 ± 8 nm
Divergence:
θ
= 73.7 ° ± 3 °
Output Power:
0.8 mW
Laser- specifikationer: (For Swedish)
Typ:
Laserhalvedare GaAs
Våglängd:
658 ± 8 nm
Divergens:
θ
= 73,7 ° ± 3 °
Uteffekt:
0,8 mW
LASER Spesifikasjon: (For Norwegian)
Type:
Halvleder laser GaAs
Bølgelengde:
658 ± 8 nm
Divergens:
θ
= 73,7 ° ± 3 °
Utgangseffekt:
0,8 mW
Laser Specifikationer: (For Danish)
Type:
Semiconductor GaAs
Bølge-længde:
658 ± 8 nm
Divergens:
θ
= 73,7 ° ± 3 °
Udgang-effekt:
0,8 mW
LASERin tekniset tiedot: (For Finnish)
Tyyppi:
Laserpuolijohdin GaAs
Aallon pituus:
658 ± 8 nm
Hajaantuminen:
θ
= 73,7 ° ± 3 °
Teho:
0,8 mW
for CD
LASER Specification
Type:
Semiconductor laser GaAlAs
Wave Length:
775 ~ 815 nm (Typical 790 nm)
Divergence:
θ
= 53.4 ° ± 3 °
Output Power:
0.21 mW
Laser- specifikationer: (For Swedish)
Typ:
Laserhalvedare GaAlAs
Våglängd:
775 ~ 815 nm (Typiskt 790 nm)
Divergens:
θ
= 53,4 ° ± 3 °
Uteffekt:
0,21 mW
LASER Spesifikasjon: (For Norwegian)
Type:
Halvleder laser GaAlAs
Bølgelengde:
775 ~ 815 nm (Typisk 790 nm)
Divergens:
θ
= 53,4 ° ± 3 °
Utgangseffekt:
0,21 mW
Laser Specifikationer: (For Danish)
Type:
Semiconductor GaAlAs
Bølge-længde:
775 ~ 815 nm (Typisk 790 nm)
Divergens:
θ
= 53,4 ° ± 3 °
Udgang-effekt:
0,21 mW
LASERin tekniset tiedot: (For Finnish)
Tyyppi:
Laserpuolijohdin GaAlAs
Aallon pituus:
775 ~ 815 nm (Tyypillinen 790 nm)
Hajaantuminen:
θ
= 53,4 ° ± 3 °
Teho:
0,21 mW