background image

PIN diodes 

Publication date: October 2007 

SKL00027AED 

1

 

This product complies with RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

MA27P120G

Silicon planar type

For high frequency switch

 Features

 Small terminal capacitance C

t

 Low forward dynamic resistance r

f

 Absolute Maximum Ratings  

T

a

 = 25

°

C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Reverse voltage

V

R

60

V

Forward current

I

F

100

mA

Power dissipation 

*

P

D

150

mW

Junction temperature

T

j

150

°

C

Storage temperature

T

stg

–55 to +150

°

C

Note) *: With a glass epoxy PC board.

 Electrical Characteristics  

T

a

 = 25

°

C

±

3

°

C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Forward current

V

F

I

F

 = 10 mA

1.0

V

Reverse current

I

R

V

R

 = 60 V

100

nA

Terminal capacitance

C

t

V

R

 = 1 V, f = 1 MHz

0.27

pF

Forward dynamic resistance 

*

r

f

I

F

 = 10 mA, f = 100 MHz

0.8

W

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.
 

2. *: r

f

 measurement device: agilent model 4291B

 Package

 

Code

  SSSMini2-F3 

 

Pin Name

  1: Anode
  2: Cathode

 Marking Symbol: U

Reviews: