40
若要计算数据载体和读写头相对彼此移动的允许速度,请使用静态距离值
(参见第
至
页
的章节
“技术数据”)。
允许速度为:
V
最大允许值
通道
2 * |
偏移值
|
=
=
时间
处理时间
偏移值取决于系统中实际使用的读
/
写距离。
处理时间
=
编码块检测时间
+
要读取的第一分
区的读
/
写时间
+
n
1
X
其他已启动分区
的读
/
写时间
1
已启动分区的数目
注意
“要读取的第一个分区的读取时间”等文本也可表示为变量:
t
L1
。
使用
BIS M-400-045-001-07-S4
读
/
写子站设备读取和写入
44
字节(起始地址
15
,
BIS M-102-
01/L
编码块,
EEPROM
存储器,“使用的编码块类型”参数设置为
ALL
(全部))
读
/
写头感应面至数据载体的距离为
12 mm
。假设一个最大自由区,即完全安装在塑料框架中。
地址
15
在块
1
中(
15/16 = 0.94
块
1
)
地址
58
在块
4
中(
58/16 = 3.63
块
4
)
因此总共将处理
4
个区,而其中的第一个区总比后面的区占用较长的读取或写入时间。
计算读
/
写时间:
总读取时间
= 20 ms + 20 ms + 3 x 10 ms = 70 ms
总写入时间
= 20 ms + 40 ms + 3 x 30 ms = 150 ms
对于指定值,这种方法允许偏置
± 20 mm
。
计算最大速度:
V
max.perm.read
= 40 mm/70 ms = 0.57 m/s
V
max.perm.write
= 40 mm/150 ms = 0.26 m/s
注意
可能产生
ms
级的波动。电气噪声的影响可能延长读
/
写时间。
最大速度
计算举例
5
技术数据
BIS M-4
_ _ IO-Link
设备
读
/
写子站设备
Summary of Contents for BIS M-4 045 0 07-S4 Series
Page 2: ...www balluff com...
Page 4: ...www balluff com www balluff com...
Page 67: ...www balluff com 65 BIS M 4_ _ IO Link Device Schreib Leseger t...
Page 70: ...www balluff com www balluff com...
Page 133: ...www balluff com 65 BIS M 4_ _ IO Link Device Read Write Device...
Page 135: ...BIS M 4_ _ 045 _0_ 07 S4 BIS M 4_ _ 072 _0_ 07 S4...
Page 136: ...www balluff com www balluff com...
Page 141: ...www balluff com 7 1 BIS CRC DPP EMC LSB MSB PC SIO IO SPDU PLC TCP 1 6 1 7 BIS M 4_ _ IO Link...
Page 142: ...8 BIS M 4xx_ _ BIS M EMC A IO Link BIS M 4_ _ 24 A 2 1 2 2 2 3 2 BIS M 4_ _ IO Link...
Page 152: ...18 3 IO Link M12 A 1 24 V 2 3 GND 4 C Q 2 2 2 IO Link IO Link RC 3 2 BIS M 4_ _ IO Link...
Page 199: ...www balluff com 65 BIS M 4_ _ IO Link...
Page 201: ......