background image

Publication date: May 

2005

 

SKL

00020

AED 

1

PIN diodes 

MA26P07

Silicon epitaxial planar type

For high frequency switch

 Features

 Small terminal capacitance C

t

 Low forward dynamic resistance r

f

 Low forward dynamic resistance r

 Low forward dynamic resistance r

 Miniature package and surface mounting type

 Absolute Maximum Ratings  

T

a

 = 

25

aa

°

C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Reverse voltage

V

R

60

V

Forward current

I

F

100

mA

Junction temperature

T

j

TT

150

°

C

Storage temperature

T

stg

TT

55

 to +

150

°

C

 Electrical Characteristics  

T

a

 = 

25

aa

°

C

±

3

°

C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Forward voltage

V

F

V

V

I

F

 = 

10

 mA

1

.

0

V

Reverse current

I

R

V

R

 = 

60

 V

R

R

100

nA

Terminal capacitance

C

t

V

R

 = 

1

 V, f = 

1

 MHz

R

R

0

.

35

pF

Forward dynamic resistance

r

f

rr

I

F

 = 

10

 mA, f = 

100

 MHz

1

.

5

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 

7031

 measuring methods for diodes.

Marking Symbol: P

4

Unit: mm

1: Anode

2: Cathode 

ML-2-N1 Package

0.60

±0.05

1.00

±0.05

1

2

0.39

+0.01

0.03

0.25

±0.05

0.25

±0.05

0.50

±0.05

0.65

±0.01

1

0.05

±0.03

0.05

±0.03

2

0.01

±0.005

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Отзывы: