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Transistors 

Publication date: May 

2005

 

SJC

00336

AED 

1

2SA2163

Silicon PNP epitaxial planar type

For high frequency amplifi cation

 Features

 High transition frequency f

T

 High transition frequency f

 High transition frequency f

 Optimum for high-density mounting and downsizing of the equipment for 

Ultraminiature leadless package

 

0

.

6

 mm 

×

 

1

.

0

 mm (height 

0

.

39

 mm) 

 Absolute Maximum Ratings  

T

a

 = 

25

aa

°

C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

V

CBO

30

V

Collector-emitter voltage (Base open)

V

CEO

20

V

Emitter-base voltage (Collector open)

V

EBO

5

V

Collector current

I

C

30

mA

Collector power dissipation

P

C

100

mW

Junction temperature

T

j

TT

125

°

C

Storage temperature

T

stg

TT

55

 to 

+

125

°

C

 Electrical Characteristics  

T

a

 = 

25

aa

°

C

±

3

°

C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Base-emitter voltage

V

BE

V

V

V

CE

 = 

CE

CE

10

 V, I

C

 = 

1

 mA

 

0

.

7

−−

V

Collector-base cutoff current (Emitter open)

I

CBO

V

CB

 = 

10

 V, I

E

 = 

0

EE

 

0

.

1

−−

µ

A

Collector-emitter cutoff current  (Base open)

I

CEO

V

CE

 = 

CE

CE

20

 V, I

B

 = 

0

100

µ

A

Emitter-base cutoff current (Collector open)

I

EBO

V

EB

 = 

5

 V, I

C

 = 

0

10

µ

A

Forward current transfer ratio

h

FE

hh

V

CE

 = 

CE

CE

10

 V, I

C

 = 

−1

 mA

70

220

Collector-emitter saturation voltage

V

CE(sat)

I

C

 = 

10

 mA, I

B

 = 

1

 mA

 

0

.

1

−−

V

Transition frequency

f

T

ff

V

CB

 = 

10

 V, I

E

 = 

1

 mA, f = 

200

 MHz

EE

150

300

MHz

Noise fi gure

NF

V

CB

 = 

10

 V, I

E

 = 

1

 mA, f = 

5

 MHz

EE

2

.

8

4

.

0

dB

Reverse transfer impedance

Z

rb

V

CB

 = 

10

 V, I

E

 = 

1

 mA, f = 

2

 MHz

EE

22

50

Reverse transfer capacitance (Common emitter)

C

re

V

CB

 = 

10

 V, I

E

 = 

1

 mA, f = 

10

.

7

 MHz

EE

1

.

2

2

.

0

pF

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 

7030

 measuring methods for transistors.

Marking Symbol: 

6

J

Unit: mm

1: Base

2: Emitter

3: Collector 

ML3-N2 Package

0.60

±0.05

1.00

±0.05

2

1

3

0.39

+0.01

0.03

0.25

±0.05

0.25

±0.05

0.50

±0.05

0.65

±0.01

0.15

±0.05

2

1

0.35

±0.01

0.05

±0.03

0.05

±0.03

3

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

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