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Transistors 

Publication date: May 

2006

 

SJC

00344

AED 

1

2SD0592 

(2SD592)

Silicon NPN epitaxial planar type

For low frequency amplifi cation
Complementary to 

2

SB

0621

 (

2

SB

621

)

 Features

 Large collector power dissipation P

C

 Low collector-emitter saturation voltage V

CE(sat)

 Absolute Maximum Ratings  

T

a

 = 

25

aa

°

C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

V

CBO

30

V

Collector-emitter voltage (Base open)

V

CEO

25

V

Emitter-base voltage (Collector open)

V

EBO

5

V

Collector current

I

C

1

A

Peak collector current

I

CP

1

.

5

A

Collector power dissipation

P

C

750

mW

Junction temperature

T

j

TT

150

°

C

Storage temperature

T

stg

TT

55

 to +

150

°

C

 Electrical Characteristics  

T

a

 = 

25

aa

°

C

±

3

°

C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

V

CBO

I

C

 = 

10

 

C

C

µ

A, I

E

 = 

0

EE

30

V

Collector-emitter voltage (Base open)

V

CEO

I

C

 = 

2

 mA, I

C

C

B

 = 

0

25

V

Emitter-base voltage (Collector open)

V

EBO

I

E

 = 

10

 

EE

µ

A, I

C

 = 

0

C

C

5

V

Collector-base cutoff current (Emitter open)

I

CBO

V

CB

 = 

20

 V, I

E

 = 

0

EE

0

.

1

µ

A

Forward current transfer ratio

h

FE

1

 

hh

*

V

CE

 = 

10

 V, I

CE

CE

C

 = 

500

 mA

C

C

85

340

h

FE

2

hh

V

CE

 = 

5

 V, I

CE

CE

C

 = 

1

 A

C

C

50

Collector-emitter saturation voltage

V

CE(sat)

I

C

 = 

500

 mA, I

C

C

B

 = 

50

 mA

0

.

2

0

.

4

V

Base-emitter saturation voltage

V

BE(sat)

V

V

I

C

 = 

500

 mA, I

C

C

B

 = 

50

 mA

0

.

85

1

.

2

V

Collector output capacitance 
(Common base, input open circuited)

C

ob

V

CB

 = 

10

 V, I

E

 = 

0

, f = 

1

 MHz

EE

20

pF

Transition frequency

f

T

ff

V

CB

 = 

10

 V, I

E

 = 

50

 mA, f = 

200

 MHz

EE

200

MHz

Note) 

1

. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 

7030

 measuring methods for transistors.

 

2

. * : Rank classifi cation

Rank

Q

R

S

h

FE

1

hh

85

 to 

170

120

 to 

240

170

 to 

340

Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.

Unit: mm

   

1:  Emitter

   

2:  Collector

   

3:  Base 

   

TO-92-B1 Package

5.0

±

0.2

0.7

±

0.1

0.45

+0.15

–0.1

2.5

+0.6

–0.2

0.45

+0.15

–0.1

2.5

1

2 3

+0.6

–0.2

4.0

±

0.2

5.1

±

0.

2

12.

9

±

0.

5

2.

3

±

0.

2

0.

7

±

0.

2

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

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