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Transistors 

Publication date: May 

2005

 

SJC

00335

AED 

1

2SC6050

Silicon NPN epitaxial planar type

For high frequency amplifi cation, oscillation and mixing

 Features

 High transition frequency f

T

 High transition frequency f

 High transition frequency f

 Small collector output capacitance (Common base, input open circuited) C

ob

and reverse transfer capacitance (Common base) C

rb

 Optimum for high-density mounting and downsizing of the equipment for 

Ultraminiature leadless package

 

0

.

6

 mm 

×

 

1

.

0

 mm (height 

0

.

39

 mm)

 Absolute Maximum Ratings  

T

a

 = 

25

aa

°

C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

V

CBO

15

V

Collector-emitter voltage (Base open)

V

CEO

10

V

Emitter-base voltage (Collector open)

V

EBO

3

V

Collector current

I

C

50

mA

Collector power dissipation

P

C

100

mW

Junction temperature

T

j

TT

125

°

C

Storage temperature

T

stg

TT

55

 to 

+

125

°

C

 Electrical Characteristics  

T

a

 = 

25

aa

°

C

±

3

°

C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-emitter voltage (Base open)

V

CEO

I

C

 = 

2

 mA, I

B

 = 

0

10

V

Emitter-base voltage (Collector open)

V

EBO

I

E

 = 

10

 

EE

µ

A, I

C

 = 

0

3

V

Collector-base cutoff current (Emitter open)

I

CBO

V

CB

 = 

10

 V, I

E

 = 

0

EE

1

µ

A

Forward current transfer ratio

h

FE

hh

V

CE

 = 

4

 V, I

CE

CE

C

 = 

5

 mA

75

400

Collector-emitter saturation voltage

V

CE(sat)

I

C

 = 

20

 mA, I

B

 = 

4

 mA

0

.

5

V

Transition frequency

f

T

ff

V

CB

 = 

4

 V, I

E

 = 

EE

5

 mA, f = 

200

 MHz

1

.

4

1

.

9

2

.

7

GHz

Collector output capacitance
(Common base, input open circuited)

C

ob

V

CB

 = 

4

 V, I

E

 = 

0

, f = 

1

 MHz

EE

1

.

4

pF

Reverse transfer capacitance (Common base)

C

rb

V

CB

 = 

4

 V, I

E

 = 

0

, f = 

1

 MHz

EE

0

.

45

pF

Collector-base parameter

r

bb'

rr

 c



c

V

CB

 = 

4

 V, I

E

 = 

EE

5

 mA, f = 

31

.

9

 MHz

11

ps

h

FE

hh  ratio

FE

FE

h

∆∆

FE

hh

V

CE

 = 

4

 V, I

CE

CE

C

 = 

100

 

µ

A / V

CE

 = 

4

 V, I

CE

CE

C

 = 

C

C

5

 mA

0

.

75

1

.

6

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 

7030

 measuring methods for transistors.

Unit: mm

1: Base

2: Emitter

3: Collector 

ML3-N2 Package

0.60

±0.05

1.00

±0.05

2

1

3

0.39

+0.01

0.03

0.25

±0.05

0.25

±0.05

0.50

±0.05

0.65

±0.01

0.15

±0.05

2

1

0.35

±0.01

0.05

±0.03

0.05

±0.03

3

Marking Symbol: 

6

N

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

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